DMN3009LFVW-7 Preise (USD) [339977Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3009LFVW-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN3009LFVW-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3009LFVW-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount, Wettable Flank
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8 (Type UX)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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