Toshiba Semiconductor and Storage - TPH4R606NH,L1Q

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Artikelnummer:
TPH4R606NH,L1Q
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH4R606NH,L1Q Produkteigenschaften

Artikelnummer : TPH4R606NH,L1Q
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
Serie : U-MOSVIII-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 32A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3965pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)
Paket / fall : 8-PowerVDFN

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