DMN10H170SFDE-13 Preise (USD) [504565Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN10H170SFDE-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - TRIACs and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN10H170SFDE-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN10H170SFDE-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1167pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
660mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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